Samsung apresenta memória HBM3E “Shinebolt” de 9,8 Gbps, GDDR7 de 32 Gbps, memória LPDDR5x CAMM2 de 7,5 Gbps

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A Samsung apresentou oficialmente suas tecnologias de memória de última geração, incluindo HBM3E, GDDR7, LPDDR5x CAMM2 e muito mais durante o Memory Tech Day 2023.

Samsung faz tudo com tecnologias de memória de última geração, incluindo HBM3E, GDDR7, LPDDR5x CAMM2 e muito mais

Já relatamos os desenvolvimentos na memória Samsung HBM3E com o codinome “Shine Bolt” e GDDR7 para aplicações de IA, jogos e data center de próxima geração. Estes podem ser vistos porquê os dois maiores destaques do Memory Tech Day 2023, mas a Samsung certamente tem muito mais ação acontecendo.

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Memória Samsung HBM3E “Shinebolt” para IA e data centers

Com base na experiência da Samsung na comercialização do primeiro HBM2 da indústria e na fenda do mercado HBM para computação de cimeira desempenho (HPC) em 2016, a empresa revelou hoje sua próxima geração de DRAM HBM3E, chamada Shinebolt. O Shinebolt da Samsung impulsionará aplicativos de IA de próxima geração, melhorando o dispêndio totalidade de propriedade (TCO) e acelerando o treinamento e inferência de modelos de IA no data center.

Manancial da imagem: Samsung

O HBM3E possui uma velocidade impressionante de 9,8 gigabits por segundo (Gbps) por velocidade de pino, o que significa que pode atingir taxas de transferência superiores a 1,2 terabytes por segundo (TBps). Para permitir pilhas de camadas mais altas e melhorar as características térmicas, a Samsung otimizou sua tecnologia de filme não condutor (NCF) para expulsar lacunas entre as camadas do chip e maximizar a condutividade térmica. Os produtos 8H e 12H HBM3 da Samsung estão atualmente em produção em tamanho e amostras do Shinebolt estão sendo enviadas aos clientes.

Apoiando-se em sua força porquê fornecedora totalidade de soluções de semicondutores, a empresa também planeja oferecer um serviço personalizado pronto para uso que combina HBM de próxima geração, tecnologias avançadas de embalagem e ofertas de fundição.

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Verificação de especificações de memória HBM

DRAMHBM1HBM2HBM2eHBM3HBM3 Gen2HBMNext (HBM4)
E/S (interface de barramento)10241024102410241024-20481024-2048
Pré-busca (E/S)222222
Largura de margem máxima128GB/s256GB/s460,8GB/s819,2GB/s1,2 TB/s1,5 – 2,0 TB/s
CIs DRAM por rima488128-128-12
Capacidade máxima4GB8 GB16 GB24GB24 – 36 GB36-64GB
TRC48 segundos45ns45nsA definirA definirA definir
tCCD2ns (=1tCK)2ns (=1tCK)2ns (=1tCK)A definirA definirA definir
PPVVPP extrínsecoVPP extrínsecoVPP extrínsecoVPP extrínsecoVPP extrínsecoA definir
VDD1,2 V1,2 V1,2 VA definirA definirA definir
Ingressão de comandoComando duploComando duploComando duploComando duploComando duploComando duplo

Samsung GDDR7 – 32 Gbps e 32 Gb DRAM para gráficos de jogos de última geração

Outros produtos destacados no evento incluem a DRAM DDR5 de 32 Gb com a maior capacidade do setor, o primeiro GDDR7 de 32 Gbps do setor e o PBSSD em graduação de petabytes, que oferece um aumento significativo nos recursos de armazenamento para aplicativos de servidor.

De concórdia com a Samsung, a memória GDDR7 oferecerá um aumento de desempenho de 40% e uma melhoria de eficiência energética de 20% em verificação com a atual DRAM GDDR6 de 24 Gbps mais rápida, oferecendo capacidades de matriz de até 16 Gb. Os primeiros produtos serão avaliados em velocidades de transferência de até 32 Gbps, o que representa uma melhoria de 33% em relação à memória GDDR6, ao mesmo tempo que alcança até 1,5 TB/s de largura de margem, que será alcançada em uma solução de interface de barramento de 384 bits.

Manancial da imagem: Samsung

A seguir está a largura de margem que as velocidades de pino de 32 Gbps ofereceriam em várias configurações de barramento:

  • 512 bits – 2.048 GB/s (2,0 TB/s)
  • 384 bits – 1536 GB/s (1,5 TB/s)
  • 320 bits – 1280 GB/s (1,3 TB/s)
  • 256 bits – 1.024 GB/s (1,0 TB/s)
  • 192 bits – 768GB/s
  • 128 bits – 512GB/s

A empresa também testou amostras iniciais rodando em velocidades de até 36 Gbps, embora duvidemos que elas estejam prontas em quantidades suficientes produzidas em tamanho para atender às linhas de jogos de próxima geração e GPU AI.

A memória GDDR7 também oferecerá eficiência 20% maior e isso é ótimo, considerando que a memória consome uma enorme quantidade de vigor para GPUs de última geração. Diz-se que a DRAM Samsung GDDR7 incluirá tecnologia especificamente otimizada para cargas de trabalho de subida velocidade e também haverá uma opção de baixa tensão operacional projetada para aplicações com uso consciente de vigor, porquê laptops. Para térmicas, o novo padrão de memória utilizará um constituído de moldagem epóxi (EMC) com subida condutividade térmica que reduz a resistência térmica em até 70%. Foi relatado em agosto que a Samsung estava testando sua DRAM GDDR7 para a NVIDIA para avaliação antecipada de suas placas gráficas de jogos de próxima geração.

Evolução da memória gráfica GDDR:

MEMÓRIA GRÁFICAGDDR5XGDDR6GDDR6XGDDR7
Fardo de trabalhoJogosJogos / IAJogos / IAJogos / IA
Plataforma (exemplo)GeForce GTX 1080TiGeForce RTX 2080 TiGeForce RTX 4090GeForce RTX 5090?
Número de canais12121212?
GB/s/pino11.414-1619-2432-36
GB/s/posicionamento4556-6476-96128-144
GB/s/sistema547672-768 912-11521536-1728
Forma (Exemplo)384 IO (pacote de 12 unidades x 32 IO)384 IO (pacote de 12 unidades x 32 IO)384 IO (pacote de 12 unidades x 32 IO)384 IO (pacote 12pcs x 32 IO)?
Buffer de quadro de sistema típico12 GB12 GB24GB24 GB?
Potência média do dispositivo (pJ/bit) 8,07,57h25A definir
Ducto IO típicoPCB (P2PSM)PCB (P2PSM)PCB (P2PSM)PCB (P2PSM)

Samsung LPDDR5x para módulos CAMM2 de última geração, simplificando designs móveis

Para processar tarefas com uso intenso de dados, as atuais tecnologias de IA estão migrando para um padrão híbrido que aloca e distribui a trouxa de trabalho entre dispositivos de nuvem e de borda. Conseqüentemente, a Samsung introduziu uma gama de soluções de memória que suportam cimeira desempenho, subida capacidade, inferior consumo de vigor e formatos pequenos na borda.

Além do primeiro LPDDR5X CAMM2 de 7,5 Gbps do setor, que deverá ser uma verdadeira viradela de jogo no mercado de DRAM de PC e laptop de próxima geração, a empresa também apresentou seu DRAM LPDDR5X de 9,6 Gbps, LLW DRAM especializado para IA no dispositivo, próximo geração Universal Flash Storage (UFS) e o SSD BM9C1 de célula de nível quádruplo (QLC) de subida capacidade para PCs.

Atualizações de tecnologia de memória GPU

Nome da placa gráficaTecnologia de memóriaVelocidade da memóriaBarramento de memóriaLargura de margem de memóriaLiberar
AMD Radeon R9 Fúria XHBM11,0 Gbps4096 bits512GB/s2015
NVIDIA GTX 1080GDDR5X10,0 Gbps256 bits320GB/s2016
NVIDIATesla P100HBM21,4Gb/s4096 bits720GB/s2016
NVIDIA Titan XPGDDR5X11,4Gb/s384 bits547GB/s2017
AMD RX Vega 64HBM21,9Gb/s2048 bits483GB/s2017
NVIDIA Titã VHBM21,7Gbps3072 bits652GB/s2017
NVIDIATesla V100HBM21,7Gbps4096 bits901GB/s2017
NVIDIA RTX 2080TiGDDR614,0 Gbps384 bits672GB/s2018
AMD Instinto MI100HBM22,4Gb/s4096 bits1229GB/s2020
NVIDIA A100 80GBHBM2e3,2Gb/s5120 bits2.039GB/s2020
NVIDIA RTX 3090GDDR6X19,5Gbps384 bits936,2GB/s2020
AMD Instinto MI200HBM2e3,2Gb/s8192 bits3.200GB/s2021
NVIDIA RTX 3090TiGDDR6X21,0 Gbps384 bits1008GB/s2022
NVIDIA H100 80GBHBM3/E2,6Gb/s5120 bits1681GB/s2022

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Pablo Oliveira
Pablo Oliveirahttp://pcextreme.com.br
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