Nós de 3nm e 4nm da próxima geração da Samsung no caminho manifesto para produção em volume no segundo semestre de 2024

PUBLICIDADE

PUBLICIDADE

Samsung está pronta para debutar a fabricar chips usando seus 2e Tecnologia de fabricação da geração 3nm classe (SF3), muito porquê versão com desempenho rebuscado de seu processo de fabricação classe 4nm (SF4X) no segundo semestre do próximo ano, disse a empresa a seus investidores esta semana. Espera-se que ambos os nós de produção melhorem significativamente as posições competitivas da empresa, uma vez que lhe permitirão edificar novos tipos de produtos.

“Fortaleceremos nossa competitividade tecnológica através do 2S [2023] produção em volume do processo 3nm de 2ª geração, muito porquê do 4º processo de geração 4nm para HPC”, diz um transmitido da empresa. “Prevê-se que o mercado mude para o propagação graças a uma recuperação na demanda traste e ao propagação contínuo na demanda de HPC.”

PUBLICIDADE

A próxima tecnologia de processo SF3 da Samsung é uma grande atualização para seu nó de produção SF3E existente, que, com base no conhecimento disponível, é usado exclusivamente para fabricar pequenos chips para mineração de criptomoedas. A Samsung afirma que o SF3 oferecerá maior versatilidade de design, permitindo diferentes larguras de conduto de nanofolhas de transistor gate-all-around (GAA) dentro do mesmo tipo de célula.

Embora a Samsung não faça comparações diretas entre SF3 e SF3E, ela diz que o SF3 oferece grandes melhorias em relação ao SF4 (4LPP, classe 4nm, insignificante consumo de vontade plus), que inclui um aumento de 22% no desempenho com potência e complicação equivalentes, ou alternativamente, uma redução de 34% no consumo de vontade na mesma frequência e descrição de transistores, juntamente com uma redução de 21% na espaço lógica. Em universal, espera-se que o SF3 seja uma opção melhor para projetos complexos do que o SF3E, embora entre em produção em grande volume no segundo semestre de 2024.

Enquanto isso, os nós da geração de classe 4nm da Samsung Foundry continuam a evoluir. A empresa se prepara para lançar sua tecnologia de processo SF4X (4HPC, computação de cimo desempenho de classe 4 nm), adaptada para aplicações de cimo desempenho, porquê CPUs e GPUs usadas em data centers. Nascente será o primeiro nó de processo do SF nos últimos anos que foi projetado especificamente para aplicações de computação de cimo desempenho (HPC).

PUBLICIDADE

A tecnologia de processo SF4X da Samsung promete proporcionar uma melhoria de 10% no desempenho junto com uma redução de 23% no consumo de vontade. Embora a Samsung não tenha divulgado a base para esta verificação, é provavelmente uma referência ao seu processo padrão SF4 (4LPP). Nascente aprimoramento é obtido através de um redesenho das regiões de manadeira e dreno do transistor, em seguida uma reavaliação de seu desempenho sob condições potencialmente de cimo estresse, a emprego de co-otimização avançada de tecnologia de design em nível de transistor (T-DTCO) e a implementação de uma novidade arquitetura middle-of-line (MOL).

Com arquitetura MOL refinada, espera-se que SF4X atinja uma tensão operacional mínima validada por silício (Vmin) para CPUs a 60mV, reduza a versatilidade na fluente de estado desligado (IDDQ) em 10%, garanta operação fixo de subida tensão (Vdd) supra 1V sem comprometer o desempenho e aumenta a margem do processo para SRAM.

Pablo Oliveira
Pablo Oliveirahttp://pcextreme.com.br
Sou diretamente responsável pela manutenção, otimização, configuração e SEO de todos os sites de minha propriedade. Além disso, atuo como colunista, editor e programador.

Artigos relacionados

DEIXE UMA RESPOSTA

Por favor digite seu comentário!
Por favor, digite seu nome aqui

Artigos recentes