Micron e SK hynix enviam memória LPDDR5-9600 para smartphones de última geração

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A memória rápida é crucial para o desempenho de sistemas em chips de última geração que estão se tornando mais sofisticados a cada ano. Quando se trata de smartphones, a maneira mais óbvia de aumentar o desempenho da memória é aumentar a taxa de transferência de dados. Aparentemente, é isso que Micron e SK Hynix estão fazendo com suas novas DRAMs LPDDR5X e LPDDR5T que possuem uma taxa de transferência de dados de 9,6 GT/s.

Os dispositivos de memória LPDDR5X-9600 da Micron são fabricados com a mais recente tecnologia de processo 1β (1-beta) da empresa. Eles são oferecidos em pacotes x64 de até 16 GB (embora não esteja simples quantos dispositivos de memória reais esses pacotes integram). A Micron diz que seu LPDDR5X fabricado em seu nó de produção mais recente apresenta consumo de virilidade até 30% menor em confrontação com CIs LPDDR5X concorrentes fabricados com tecnologia 1α (1-alfa), embora isso seja alguma coisa esperado.

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A Micron não divulga uma vez que conseguiu aumentar a taxa de transferência de dados de seu LPDDR5X para 9,6 GT/s, o que representa um aumento de 12% em confrontação com 8,53 GT/s, que já foi considerada a velocidade mais subida da memória LPDDR5X. A única coisa que a empresa divulga é que esses ICs possuem graduação dinâmica de tensão e frequência “aprimorada”, embora o DVFS faça secção da especificação LPDDR5X.

A IA generativa está preparada para liberar produtividade, facilidade de uso e personalização sem precedentes para usuários de smartphones, entregando o poder de modelos de linguagem grande aos principais telefones celulares,” disse Mark Montierth, vice-presidente corporativo e gerente universal da Unidade de Negócios Móveis da Micron. “A Micron’s 1β LPDDR5X combinado com a plataforma traste Snapdragon 8 Gen 3 otimizada para IA da Qualcomm Technologies capacita os fabricantes de smartphones com desempenho de próxima geração e eficiência energética essenciais para habilitar a revolucionária tecnologia de IA na borda.

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SK Hynix é outra empresa que começou a enviar memória LPDDR5-9600 hoje, que labareda suas DRAMs LPDDR5 mais rápidas de LPDDR5T (T significa Turbo). A novidade memória estará disponível em pacotes de 16 GB com filete de tensão VDD de 1,01V a 1,12V e VDDQ de 0,5v. Por outro lado, o LPDDR5X deve ter uma tensão VDD máxima de 1,1V, portanto o LPDDR5T está um pouco fora das especificações do LPDDR5X.

Enquanto isso, tanto o LPDDR5X-9600 da Micron quanto o LPDDR5T-9600 da SK Hynix são compatíveis com o sistema em chip Snapdragon 8 Gen 3 da Qualcomm para smartphones, os dois compararam anunciados na terça-feira. A Micron já está enviando seus módulos LPDDR 9,6 GT/s de 16 GB com largura de margem de pico de 76,8 GB/s, portanto, esperamos que alguns dos parceiros da Qualcomm usem em breve a memória traste mais rápida do mundo. O módulo da SK Hynix foi validado pela Micron, portanto a empresa sul-coreana provavelmente iniciará as remessas comerciais de seu resultado LPDDR5T-9600 em breve.

Estamos entusiasmados por termos atendido às necessidades de nossos clientes em termos de DRAM traste de altíssimo desempenho com o fornecimento do LPDDR5T,” disse Sungsoo Ryu, gerente de planejamento de produtos DRAM da SK Hynix.

Fontes: Micron, SK Hynix

Pablo Oliveira
Pablo Oliveirahttp://pcextreme.com.br
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